Технология производства полупроводниковых приборов

Main
Технология производства...

Технология производства полупроводниковых приборов

Курносов А.

0 / 0

Sukakah anda buku ini?

Bagaimana kualiti fail ini?

Muat turun buku untuk menilai kualitinya

Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?

Bahasa:

russian

Fail:

PDF, 25.75 MB

IPFS:

,

russian0

Baca dalam Talian

Memuat turun (pdf, 25.75 MB)

Penukaran menjadi sedang dijalankan

Penukaran menjadi gagal

Mungkin anda berminat

Бабушкина Л. Г. — Конструирование и технология производства микросхем

Щербакова, Е. Н. — Технологии нано- и микросистемной техники

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов.

Богомазова, Наталья Валентиновна — Технология полупроводников

Кувшинов, А. М. — Основы микро- и наноэлектроники. Конструкция и технология микросхем

Брук В. — Производство полупроводниковых приборов

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Моряков О. — Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве

Палатник, Сорокин — Материаловедение в микроэлектронике

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Н. В. Жданова — Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

Пресс Ф.П. — Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. — Технология интегральной электроники

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. и др. — Технология интегральной электроники

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Бахратов А.Р. — Тестовые задачи по технологии микромеханических гироскопов и акселерометров

— Процессы микро - и нанотехнологии

Нашельский А.Я. — Технология полупроводниковых материалов

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть 3-я

Знаменская Т.Д. — Лекции по конструкторско-технологическому обеспечению

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Скоробогатова Л.А., Зубрицкий С.М., Петров А.Л., Семёнов А.Л. — Технологии материалов для микро - и наноэлектроники

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Фролов К.В. (гл. ред.) — Машиностроение. Том III-8. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении

Жданова Наталья Владимировна — Микроэлектроника

Филяк М. М. — Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Сост. СП. Зимин — Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Щербакова, Е. Н. — Технологии нано- и микросистемной техники

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 3.

Коллектив авторов — Дадаян Ю.А., Храбров И.Ю. Интеллектуальные измерительные преобразователи. Ч. 1

Istilah utama

поверхности

приборов

диффузии

пластины

полупроводника

используют

температуры

кристалла

концентрации

полупроводниковых

скорость

перехода

применяют

травления

элементов

производят

поверхность

материала

получения

происходит

фоторезиста

температуре

подложки

качестве

переходов

скорости

зависимости

материалов

процесса

сплавления

германия

наиболее

конструкции

вследствие

источника

концентрация